Uvled固化机的结构

UVLED（紫外LED）由夹在较薄GaN三明治结构中给一个或多个InGaN量子阱组成，形成的有源区为覆层。通过改变InGaN量子阱中InN-GaN的相对比例，发射波长可由紫光变到其他光。AlGaN通过改变AlN比例能用于制作UVLED中的覆层和量子阱层，但这些器件的效率和成熟度较差。如果有源量子阱层是GaN，与之相对是InGaN或AlGaN合金，则器件发射的光谱范围为350~370nm。
    当蓝色InGaN发光二**管泵处短的电子脉冲时，则产生紫外线辐射。含铝的氮化物，特别是AlGaN和AlGaInN可以制作更短波长的器件，获得系列波长的UVLED。波长可达247nm的二**管已经商业化，基于氮化铝、可发射210nm紫外线辐射的LED已研制成功，250~270nm波段的UVLED也在大力研制中。
III-V族金属氮化物基的半导体非常适合于制作紫外辐射源。以AlGaInN为例，在室温下，随着各组分比例的变化，电子和空穴在复合时所辐射的能量在1.89~6.2eV。如果LED的活性层单纯由GaN或AlGaN构成，则其紫外辐射效率很低，因为电子和空穴之间的复合为非辐射复合。如果在该层当中掺杂少量的金属In，活性层局部的能**就会发生变化，此时，电子和空穴就会发生辐射复合。因此，当在活性层中掺杂了金属铟之后，380nm处的辐射效率要比不掺杂的高大约19倍。
将来的高强度UV技术属于小型的，低温的和环保的，不再需要灯泡。
FUTANSI技术的UV LED光固化系统，非常适合系统集成，UV LED光固化系统可以配置为出光任意长度,适合各种固化应用，包括半导体产品、VCD、DVD磁头、液晶、光学镜头、精密电子元件、医用针头、
木地板涂料固化等的粘接固定及营造特殊的紫外线环境等等. UV LED光固化系统采用日本的LED式集成工艺技术，结合高密度LED芯片
矩阵集成，微光学和微型冷却技术于一体，形成高效率的微光机电系统封装。
采用LED式集成工艺的高强度UV光系统具有下列的优点：
更低拥有成本
不需要维护，提升生产效率
整个寿命期内稳定UV输出，增加良品率
瞬间开关，更低的操作成本。光系统只需要在固化过程中打开。